AI芯天下|三星已成全球芯片霸主,规划芯片制程路线:2022年要上3nm

产品时间:2021-09-19 00:20

简要描述:

5月28日,三星电子在坐落于美国的2018年三星半导体代工论坛上,发布其全面的芯片制程技术路线图,目前早已改版至3nm工艺。据介绍,三星的7nmLPP将沦为该公司首款用于EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分成LPE和LPP两代,不过7nm却是个值得注意,没LPE。之前已发布,三星7nmLPP将于2018年下半年量产,2019年的高通和三星芯片未来将会使用该生产工艺。...

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本文摘要:5月28日,三星电子在坐落于美国的2018年三星半导体代工论坛上,发布其全面的芯片制程技术路线图,目前早已改版至3nm工艺。据介绍,三星的7nmLPP将沦为该公司首款用于EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分成LPE和LPP两代,不过7nm却是个值得注意,没LPE。之前已发布,三星7nmLPP将于2018年下半年量产,2019年的高通和三星芯片未来将会使用该生产工艺。

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5月28日,三星电子在坐落于美国的2018年三星半导体代工论坛上,发布其全面的芯片制程技术路线图,目前早已改版至3nm工艺。据介绍,三星的7nmLPP将沦为该公司首款用于EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分成LPE和LPP两代,不过7nm却是个值得注意,没LPE。之前已发布,三星7nmLPP将于2018年下半年量产,2019年的高通和三星芯片未来将会使用该生产工艺。

三星回应,在7nmLPP之后发售的5nmLPE将为SoC芯片获取更大的拓展面积和超强低功耗优势。此外,FinFET技术的用于将持续至4nm工艺。比起上一代5nm,三星的4nmLPE和LPP可获取更加小的尺寸、更高的性能和更加慢的速度。

预计于2022年量产。从3nm开始,三星将舍弃FinFET结构,转而使用下一代器件架构GAA。

为了解决FinFET结构在尺寸和性能方面的容许,三星正在研发基于GAA技术的MBCFET(MultiBridgeChannelFET,多桥地下通道),预计3nmGAAE和GAAP的性能将更进一步提高。目前,全球来看,三星电子在全球量产芯片市场的市场占有率已多达50%,并在销售额及营业利润两个指标上双双多达美国英特尔等竞争对手,高居芯片产业的龙头方位。据Gadgetsnow网站报导,咨询公司Gartner公布近期研究报告表明,韩国三星电子公司已多达其美国竞争对手英特尔(Intel),沦为全球仅次于的半导体制造商。

在2017年,归功于智能手机和其他联网设备的发展,全球芯片市场的规模快速增长了22%,快速增长到了4197亿美元。


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